Asymmetrically Shaped Pseudomorphic Modulation Doped Structure for Microwave Detection

نویسندگان
چکیده

برای دانلود باید عضویت طلایی داشته باشید

برای دانلود متن کامل این مقاله و بیش از 32 میلیون مقاله دیگر ابتدا ثبت نام کنید

اگر عضو سایت هستید لطفا وارد حساب کاربری خود شوید

منابع مشابه

Asymmetrically Shaped Pseudomorphic Modulation Doped Structure for Microwave Detection

In this paper we propose a microwave detector based on a AlGaAs/ InGaAs/GaAs structure. Its operation relies on non-uniform carrier heating of the two-dimensional electron gas in the microwave electric fields which is a result of the asymmetric shape of the device fabricated on the base of pseudomorphic modulation doped AlGaAs/InGaAs/GaAs structure. The voltage sensitivity of the device at nitr...

متن کامل

High Power Microwave Detection in Asymmetrically Shaped n-AlxGa1−xAs Structures

Investigations of detection of high power microwaves in planar asymmetrically shaped microwave diodes on the basis of AlxGa1−xAs ternary semiconductors with various AlAs mole fraction are presented. The principle of operation of the microwave diodes is based on carrier heating phenomena in asymmetrically shaped homogeneous semiconductor structure due to different distribution of the electric fi...

متن کامل

Characteristics Study of Modulation Doped GaAs/InxGa1-xAs/AlxGa1-xAs based Pseudomorphic HEMT

The High Electron Mobility Transistor (HEMT) is a small geometry hetero-junction device that exploits the high electron mobility in an undoped region to achieve high speed operation. Hetero-junction is used to create a narrow undoped electron well which forms the channel for current flow. The electron mobility in the channel is found to be maximum due to the adequate presence of Indium quantity...

متن کامل

Hole mobility in pseudomorphic InGaSb quantum well modulation doped with carbon

Carbon-tetrabromide CBr4 is utilized as the p-type doping source in modulation-doped pseudomorphic In0.3Ga0.7Sb /AlxGa1−xSb quantum well structure. Carbon delta-doping is achieved by switching off group III elements while the flow of CBr4 is on during the growth of AlSb barrier layer. The hole mobility of strained In0.3Ga0.7Sb quantum well decreases monotonically from 600 to 400 cm2 /V s while ...

متن کامل

islanding detection methods for microgrids

امروزه استفاده از منابع انرژی پراکنده کاربرد وسیعی یافته است . اگر چه این منابع بسیاری از مشکلات شبکه را حل می کنند اما زیاد شدن آنها مسائل فراوانی برای سیستم قدرت به همراه دارد . استفاده از میکروشبکه راه حلی است که علاوه بر استفاده از مزایای منابع انرژی پراکنده برخی از مشکلات ایجاد شده توسط آنها را نیز منتفی می کند . همچنین میکروشبکه ها کیفیت برق و قابلیت اطمینان تامین انرژی مشترکان را افزایش ...

15 صفحه اول

ذخیره در منابع من


  با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید

ژورنال

عنوان ژورنال: Acta Physica Polonica A

سال: 2006

ISSN: 0587-4246,1898-794X

DOI: 10.12693/aphyspola.110.845